Egy független teszt szerint a Qualcomm sztárlapkája, a Snapdragon 810 valóban túlmelegszik. Az Ars Technica eredményei szerint ráadásul nem is túl ritkán.
Sokat boncolgattuk már a Snapdragon 810-es túlmelegedését, voltak időszakok, hogy már a csapból is ez folyt. A Samsung végül lepasszolta a lapkát, és saját Exynos processzora mellett tette le a voksát, később pedig az LG is beismerte, hogy nem annyira tökéletes a Qualcomm-gyártmány.
Tény, hogy gyorsabb, mint elődei, a Snapragon 800, 801 és 805, cserébe viszont hamar túlhajtja magát, és túlemelegszik. De vajon mennyire?
Az Ars Technica egy független tesztet végzett a HTC One M9-en és az LG G Flex 2-n összevetve a Samsung Galaxy S6-tal, melyből kiderül, hogy a Snapdragon 810-es lassabb, és rosszabb aksi élettartamat garantál, mint az Exynos. Ez annak köszönhető, hogy míg a Qualcomm 20 nanométeres, addig a Samsung 14 nanométeres gyártási eljárást használt Exynos processzoránál.
Szerencsére azonban úgy tűnik, a Qualcomm következő lapkája, a Snapdragon 820 már szintén a kisebb, hatékonyabb 14 nanométeres eljárással készül majd.
Forrás: Techspot.com, kép: arstechnica.com