A Qualcomm Technologies és a Samsung Electronics szorosabbra fűzte évtizedes múltra visszatekintő stratégiai együttműködését a félvezetőgyártás terén.
A Qualcomm Technologies által fejlesztett legújabb Snapdragon prémium processzor, a Qualcomm Snapdragon 835 a Samsung 10 nanométeres (nm) FinFET feldolgozási technológiájának alkalmazásával készül majd.
A döntés, miszerint a következő generációs prémium processzorok gyártásában a Samsung legmodernebb feldolgozási technológiáját használják fel, alátámasztja, hogy a Qualcomm Technologies elkötelezetten törekszik vezető szerepének megőrzésére a mobil platformok területén.
A Samsung októberben jelentette be, hogy az iparágban elsőként megkezdi a 10 nanométeres FinFET technológia tömeggyártását. A korábbi, 14 nanométeres FinFET technológiával összehasonlítva a Samsung 10 nanométeres technológiájával akár 30 százalékos növekedés érhető el a helykihasználási hatékonyság területén, 27 százalékkal nagyobb teljesítmény, vagy akár 40 százalékkal alacsonyabb energiafelhasználás mellett. A 10 nm FinFET technológia alkalmazásával a Snapdragon 835 processzorhoz kisebb méretű chip is elegendő lesz, így a hardvergyártók több hasznosítható hellyel gazdálkodhatnak új termékeik esetében, ami lehetővé teszi nagyobb akkumulátorok elhelyezését vagy vékonyabb termékek előállítását. A feldolgozási fejlesztések és a fejlettebb kialakítású chipek várhatóan jelentős javulást eredményeznek az akkumulátorok élettartamában.
A Snapdragon 835 gyártása már folyamatban van, és várhatóan 2017 első felében jelenik meg a kereskedelmi forgalomba kerülő eszközökben. A Snapdragon 835 elődje a Snapdragon 820/21 processzor, amely 200-nál is több fejlesztett változattal rendelkezik.