„Az új 16Gb GDDR6 kimagasló teljesítményének és sűrűségének köszönhetően jelentős fejlesztést jelent az összetett grafikai DRAM modulok történetében – mondta el Jinman Han, a Samsung memóriatermékek és alkalmazások tervezéséért felelős üzletág alelnöke. – Az újgenerációs GDDR6 termékekkel tovább erősítjük jelenlétünket a számítógépes játékok és a grafikus kártyák piacán, valamint a fejlett grafikus memóriát alkalmazó legújabb autóipari és hálózati rendszerek számára is megoldást jelent.”

A Samsung továbbfejlesztett 10 nanométer (nm) osztályú* folyamattechnológiára épült új GDDR6 memóriája a vállalat 20 nm-es 8 Gb-es GDDR5 memóriájához képest kétszeres, 16Gb-es sűrűséggel érkezik. Az új megoldás másodpercenként 18 Gb-es (Gbps) tűsebességre és másodpercenkénti 75 gigabájtos (GBps) adatátvitelre képes, amely a 8Gb-es GDDR5 memória 8Gbps tűsebességének több, mint dupláját jelenti. 

Az új GDDR6 innovatív, kis teljesítményű áramkörének köszönhető 1,35V-os teljesítménye a széles körben elterjedt GDDR5 1,55V-os teljesítményéhez képest 35 százalékkal alacsonyabb energiafelhasználást jelent. A 10nm-es 16 Gb GDDR6 a 20nm-es 8Gb GDDR5-höz képest 30 százalékkal nagyobb teljesítményre képes. 

A Samsung GDDR6 tömeggyártása jelentős szerepet játszik a következő generációs grafikus kártyák és rendszerek bevezetésében. A sűrűség, teljesítmény és energiahatékonyság területein elért fejlesztéseknek köszönhetően a 16Gb GDDR6 vélhetően széleskörű felhasználásra számíthat az olyan gyorsan fejlődő területeken mint a 8K UHD videó-tartalmak gyártása, a virtuális valóság (VR), a kiterjesztett valóság (AR) és a mesterséges intelligencia (AI). 

A Samsung a széleskörű grafikus memória termékportfóliójának köszönhetően, amelynek az új 18gbps 16 Gb GDDR6 és a nemrég bemutatott 2,4Gbps 8GB HBM2 egyaránt tagja, a prémium memóriapiac gyors növekedésére számít az elkövetkezendő években. 

__________________

* A 10nm-osztály a technológiai csomópontot jelöli valahol 10 és 19 nanométer között.