A Samsung új flash memória gyártásán dolgozik. A  256 gigabites 3D V-NAND flash memóriájának sűrűsége duplája a hagyományos 128 gigabites NAND chipeknek. Amellett, hogy egyetlen lapkán 32 gigabájt (256 gigabit) adattárolást tesz lehetővé, az új chip könnyedén megduplázza a Samsung jelenlegi SSD termékcsaládjának a kapacitását, és ideális megoldást kínál a több terabájtos SSD-knek.

 

A második generációs V-NAND (32 rétegű 3 bites MLC V-NAND) chipjeit 2014 augusztusában mutatta be a Samsung, alig egy év múlva pedig már a harmadik generációs (48 rétegű 3 bites MLC V-NAND) chipjeit indítja el a vállalat, megerősítve vezető szerepét a 3D memóriák piacán.

A V-NAND chipek minden egyes cellája ugyanazt a 3D CTF (Charge Trap Flash) struktúrát használja, amelyben a cellatömbök vertikálisan 48 rétegben vannak összerendezve, és mintegy 1,8 milliárd, a tömböket átlyukasztó csatornával vannak elektromosan összekötve. Minden egyes chip összesen több mint 85,3 milliárd cellát tartalmaz, amelyek mindegyike 3 bit adatot képes tárolni, így összesen 256 milliárd bit, azaz 256 gigabit adat fér el egy ujjhegynél nem nagyobb chipen.

A 48 rétegű 3 bites MLC 256 gigabites V-NAND flash chip fogyasztása – azonos tárolt adatmennyiség mellett – 30 százalékkal kevesebb a 32 rétegű 3 bites MLC 128 gigabites V-NAND chipénél. A chip előállítása során megközelítőleg 40 százalékkal nagyobb produktivitás érhető el, mint a 32 rétegű előd estén, jelentős költséghatékonyságot biztosítva az SSD piacon, főként a meglévő berendezéseket kihasználva.

2015 hátralévő részében a harmadik generációs V-NAND chipek előállításával a Samsung lehetővé teszi, hogy a terabájtos kapacitású SSD-k még gyorsabban terjednek el a piacon. Miközben most mutatta be a fogyasztóknak szánt két terabájtos és nagyobb kapacitású SSD-ket, a Samsung azt is tervezi, hogy a nagy sűrűségű SSD-k értékesítését növeli a vállalati piacokon is a legkorszerűbb PCIe, NVMe és SAS interfészekkel.