A dél-koreai óriás megosztotta a nagyvilággal a hírt, hogy üzemeiben beindult a 4 gigabites LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) DRAM modulok gyártása. A 20 nanométeres gyártástechnológiával készülő, mobil eszközökbe szánt memóriaegységek amellett, hogy 20 százalékkal kevesebb energiát fogyasztanak, 30 százalékos teljesítménynövekedést ígérnek az előző generációs, 30 nanométeres társaikhoz képest, azaz rendkívüli gyorsasággal kecsegtetnek azok a közeljövőben megjelenő felsőkategóriás okostelefonok és táblagépek, melyekben alkalmazzák majd őket.

Valószínűleg a szeptemberben bemutatkozó Galaxy Note III-ban és legfrissebb pletykák tárgyát képező Nexus 11 tabletben találkozhatunk majd először az újgenerációs modulokkal.

[Forrás: Unwired View]