3D NAND Flash memóriát jelentett be az Intel

Kütyü Magazin - 2015. március 27.

A Micron Technology és az Intel Corporation bemutatta új 3D NAND technológiáját, mely háromszoros kapacitást tesz lehetővé más NAND technológiákhoz.

Az Intel közös fejlesztésbe fogott a Micronnal.A két vállalat a világ legagyobb sűrűségű flash memóriáját alkotta meg. Ezt a tárolási technológiát használják a legkönnyebb laptopokban, a leggyorsabb adatközpontokban, szinte minden mobiltelefonban, táblagépekben és más mobileszközökben is.

Az új 3D NAND technológia, melyet a Micron és az Intel közösen fejlesztett ki, igen nagy precizitással adattároló cellákat helyez egymásra vertikálisan, azért hogy olyan tároló eszközöket hozzon létre, melyek háromszor nagyobb kapacitást biztosítanak a meglévő NAND technológiákhoz képest.

Ennek révén nagyobb lesz a tárolásra alkalmas hely, ezzel költséget megtakarítva és nagyobb teljesítményt nyújtva a mobileszközök felhasználóinak valamint a legnagyobb igénnyel rendelkező üzleti megoldásoknak. A stick méretű SDD-k számára  a 3,5 terrabájt, a szabványos 2,5 hüvelykes SSD-k számára a 10 terrabájt tárolókapacitást.

 

Vissza