Kapcsolódó cikkek
- A Galaxy S 4 előrendelhető a Telenornál 2013. április 19.
- Lencsevégen a Galaxy Note III 2013. május 2.
- Újabb Nexus tablet a Samsungtól? 2013. május 1.
- Kétkártyás Galaxy S 4 – Csak Kínában? 2013. április 29.
- A Samsung leleplezte héthüvelykes táblagépét 2013. április 29.
- Az LG kerekedett felül az ívelt OLED párbajban 2013. április 29.
- Már hazánkban is kapható a Galaxy S 4 2013. április 28.
- Samsung Galaxy Core – Dual SIM és Jelly Bean 2013. április 26.
- Galaxy S 4 – Vízálló kivitelben is? 2013. április 25.
- Samsung GALAXY S 4 okostelefon mától előrendelhető a Telekomnál! 2013. április 24.
Legfrissebb híreink
- Nagy felbontás, gyors sebesség és MI-alapú képfelismerés
- A Sony bejelenti az első G Master F2-es rekesznyílású standard zoomobjektívet
- T-esport Bajnokság: Európa legjobbjai mérkőztek meg a hétvégi budapesti döntőn
- Idén az üvegfalak áttöréséről szól a telekom ünnepi kampánya
- A Samsung különleges megoldásait díjazták
Elindult a 4 gigabites mobil memóriamodulok gyártása
A Samsung bejelentette, hogy elindította a 4 gigabites, mobil eszközökbe szánt DRAM modulok gyártását, melyekkel a következő generációs csúcsmobilokban és táblagépekben találkozhatunk majd.
A dél-koreai óriás megosztotta a nagyvilággal a hírt, hogy üzemeiben beindult a 4 gigabites LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) DRAM modulok gyártása. A 20 nanométeres gyártástechnológiával készülő, mobil eszközökbe szánt memóriaegységek amellett, hogy 20 százalékkal kevesebb energiát fogyasztanak, 30 százalékos teljesítménynövekedést ígérnek az előző generációs, 30 nanométeres társaikhoz képest, azaz rendkívüli gyorsasággal kecsegtetnek azok a közeljövőben megjelenő felsőkategóriás okostelefonok és táblagépek, melyekben alkalmazzák majd őket.
Valószínűleg a szeptemberben bemutatkozó Galaxy Note III-ban és legfrissebb pletykák tárgyát képező Nexus 11 tabletben találkozhatunk majd először az újgenerációs modulokkal.
[Forrás: Unwired View]