A Samsung Electronics megkezdte az iparág első, négy gigabájtos (GB) dinamikus RAM-jának (DRAM) tömeggyártását. Az új DRAM a második generációs High Bandwidth Memory (HBM2) szabványon alapul, így a nagyteljesítményű számítástechnikában (HPC), a fejlett grafikai és hálózati rendszerekben és a vállalati szervereknél egyaránt használható. A Samsung új HBM megoldása egyedülálló, a jelenlegi felső sebességhatárnál hétszer gyorsabb DRAM teljesítményt biztosít. Ezáltal megnő a magas színvonalú számítástechnikai műveletek, így a párhuzamos számítási folyamatok, a grafikai renderelés és a gépi tanulás reszponzivitása.

A Samsung bejelentette az iparág első, 12 gigabites LPDDR (low power, double data rate 4) mobil DRAM tömeggyártását, amely a fejlett 20 nanométeres gyártási technológián alapul.  

A Samsung új megoldásának köszönhetően megváltozhat az oksotelefonok és táblagépek memóriakapacitása. A vállalat hétfőn egy új memóriachipet jelentett be, amellyel a mobileszközök akár 4GB RAM-mal is rendelkezhetnek.

A Samsung bejelentette, hogy elindította a 4 gigabites, mobil eszközökbe szánt DRAM modulok gyártását, melyekkel a következő generációs csúcsmobilokban és táblagépekben találkozhatunk majd.